Термо- та фотоелектричні явища в твердих тілах

Спеціальність: Прикладна фізика
Код дисципліни: 7.105.01.O.003
Кількість кредитів: 5.00
Кафедра: Прикладна фізика і наноматеріалознавство
Лектор: старший викладач Данилов Андрій Богданович
Семестр: 1 семестр
Форма навчання: денна
Результати навчання: У результаті вивчення навчальної дисципліни студент повинен знати: – основні фізичні поняття, явища та закони, що охоплюються курсом “Термо- та фотоелектричних явищ в твердих тілах”; – межі застосування явищ і законів, їх сутність, фізичне і математичне підґрунтя, взаємозв’язок і зв’язок з іншими фізичними явищами; – ефективні способи і методи вирішення інженерних завдань у рамках курсу; вміти: – застосовувати набуті знання на практиці; – чітко розуміти природу і сутність явищ та законів; що лежать у підґрунті курсу.
Необхідні обов'язкові попередні та супутні навчальні дисципліни: - пререквізити: загальна фізика. Електрика і магнетизм; фізика твердого тіла; математичний аналіз; диференціальні рівняння. - кореквізити: фізика і технологія наносистем; фізико-технічні основи фотоперетворювальних матеріалів і пристроїв
Короткий зміст навчальної програми: Контактні та термоелектричні явища в металах і напівпровідниках. (Явище Зеєбека. Ефект Пельтьє. Термодинаміка термоелектричних явищ. Ефект Томсона.) Фізичні основи роботи електронно-діркового переходу в напівпровідниках. (Електронно-дірковий перехід. Структура та методи утворення. Фізичні процеси під час створення р-n переходу. P-n перехід у рівноважному стані. Струми через p-n перехід. Висота потенціального бар’єра р-п переходу. Розподіл електричного поля та потенціалу в p-n переході.) Фотоелектричні пристрої сучасної енергетики. (Фотоперетворювачі на p-n переході, на бар’єрі Шотткі, сонячні елементи 2 і 3 покоління та їх особливості.)
Методи та критерії оцінювання: Екзамен (письмова та усна компоненти), захист звітів до лабораторних робіт студентів. - поточний контроль (30%): опитування на лабораторних заняттях, захист звітів (20%), самостійна робота (10%), - підсумковий контроль (70%): іспит – письмова компонента (60%), усна компонента (10%).
Рекомендована література: 1. Luque А., Hegedus S. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. John Wiley & Sons Ltd, 2003. 2. Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. – М.: Наука, 1962 3. Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. К.: Наукова думка, 1979. 4. Ильин В.И., Мусихин С.Ф., Шах А.Я. Варизонные полупроводники и гетероструктуры.