Фізика анізотропних середовищ

Спеціальність: Прикладна фізика
Код дисципліни: 7.105.01.M.019
Кількість кредитів: 5.00
Кафедра: Прикладна фізика і наноматеріалознавство
Лектор: доцент, к.т.н. Лаба Ганна Петрівна
Семестр: 2 семестр
Форма навчання: денна
Результати навчання: У результаті вивчення навчальної дисципліни студент повинен: - знати основи будови та симетрії анізотропних середовищ; - набути знань про ефекти, які виникають в результаті анізотропії речовини; - знати властивості тензорів фізичних властивостей кристалів; - вміти виводити нерівні нулю компоненти тензорів для різних класів симетрії; - знати застосування елементів і приладів, створених на основі фізичних явищ в анізотропному середовищі; - вміти формулювати основні фізичні принципи та закони, які визначають появу фізичних явищ в анізотропних середовищах; - вміти досліджувати фізичні властивості анізотропних середовищ; - вміти визначати геометрію фізичних явищ в анізотропних середовищах та визначати компоненти відповідних тензорів.
Необхідні обов'язкові попередні та супутні навчальні дисципліни: - пререквізити: векторний і тензорний аналіз, основи кристалооптики, термо- та фотоелектричні явища в твердих тілах; - кореквізити: просторова анізотропія індукованих оптичних ефектів, Інноваційні оптичні технології дослідження матеріалів
Короткий зміст навчальної програми: Симетрія анізотропного середовища. Тензорний опис фізичних властивостей кристалів. Діелектричні властивості. Магнітні властивості. Теплопровідність. Поширення акустичних хвиль у анізотропних середовищах. Рівняння Крістоффеля. Напруження та деформації. Теплове розширення. Пружний, п’єзоелектричний та електрострикційний ефекти в кристалах. Ефекти вищих порядків.
Методи та критерії оцінювання: Залік диференційований, захист лабораторних робіт, ВНС-тестування, захист індивідуального науково-дослідного завдання; - поточний контроль (40%): опитування на лабораторних заняттях, захист звітів (20%), самостійна робота (10%), ВНС-контроль (10%); - підсумковий контроль (60%): іспит – письмова компонента (50%), усна компонента (10%).
Рекомендована література: 1. Шаскольская М. П. Кристаллография. Москва : Высшая школа, 1984. 376 с. 2. Недоля А. В. Кристалографія. Фізичні властивості кристалів. Запоріжжя : Просвіта, 2014. 138 с. 3. Сиротин Р.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. - М.: Наука, 1985. - 680 с. 4. Най Дж. Физические свойства кристаллов. - М.: Мир, 1967. - 385 с. 5. Вустер У. Применение тензоров и теории групп дли описания Физических свойств кристаллов. - М.: Мир, 1977. 6. Переломова Н.В., Тагиеза М.М. Задачник по кристаллофизике. -М.: Наука. 1982. - 287 с. 7. Smith C.S. Macroscopic symmetry and properties of crystals. Solid State Physics.- Vol. 6, New York, 1985, p. 175.