МЕМС та НЕМС у пристроях мікро- та наносистемної техніки
Спеціальність: Мікро- та наносистемна техніка (освітньо-наукова програма)
Код дисципліни: 7.153.01.E.019
Кількість кредитів: 7.00
Кафедра: Напівпровідникова електроніка
Лектор: д.т.н., проф. Ховерко Юрій Миколайович
Семестр: 2 семестр
Форма навчання: денна
Завдання: Завдання під час вивчення навчальної дисципліни передбачає формування та розвиток у студентів:
Загальних компетентостей, що полягає у формуванні - базових знань фундаментальних наук, в обсязі, необхідному для освоєння дисциплін; базових знань в галузі мікро- та наносистемної техніки; уміння розв’язувати поставлені задачі та приймати відповідні рішення; здатності до аналізу та синтезу; здатності до застосування знань на практиці; здатності здійснювати пошук та аналізувати інформацію з різних джерел; дослідницьких навичок;. уміння працювати як індивідуально, так і в команді.
Фахових компетентностей, що полягає у формуванні-базових знань основних нормативно-правових актів та довідкових матеріалів, чинних стандартів і технічних умов, інструкцій та інших нормативно-розпорядчих документів в галузі «Автоматизація та приладобудування»; здатності використовувати знання й уміння для дослідження, вибору, впровадження, ремонту, та проектування приладів та пристроїв мікро- та наносистемної техніки та їх складових; вміння розробляти методи оцінки якості матеріалів мікро- та наносистемної техніки, методи випробувань приладів та пристроїв, систем метрологічної повірки; уміння аргументувати вибір методів розв’язування спеціалізованих задач, критично оцінювати отримані результати та захищати прийняті рішення.
Результати навчання: Результати вивчення даної дисципліни охоплюють такі програмні результати навчання:
1. Здатність продемонструвати знання і розуміння основних фізичних процесів та явищ в напівпровідниках, діелектриках, а також магнітних, оптичних матеріалах для пристроїв мікро- та наносистемної техніки;
2. Здатність використовувати на практиці набуті знання щодо технології виготовлення мікро- та наноелектромеханічних систем;
3. Здатність аналізувати фізико-хімічні процеси, які протікають при виготовленні мікро- та наноелектромеханічних систем;
4. Вибрати матеріал для виготовлення і обґрунтувати фізичну структуру;
5. Удосконалювати технологічні процеси виготовлення та видозмінювати їх залежно від вимог до готової структури;
6. Оцінювати отримані результати та аргументовано захищати прийняті рішення щодо виготовлення пристроїв мікро-та наносистемної техніки.
Необхідні обов'язкові попередні та супутні навчальні дисципліни: Попередні навчальні дисципліни:
Основи мікро- та нанотехнологій
Моделювання електронних компонентів та приладів
Технологічні основи мікро- та наносистемної техніки
Супутні та наступні навчальні дисципліни:
Прилади на основі МОН
Наноструктури
Управління структурою і властивостями напівпровідникових матеріалів і приладів
Короткий зміст навчальної програми: Дисципліна містить дані щодо фізико-технологічних основ створення базових типів та структур мікро- та наноелектромеханічних систем, регламенти та рекомендації щодо основних технологічних процесів їх виготовлення, а також основні методи контролю у процесі виробництва мікро- та наноелектромеханічних систем.
Опис: Дисципліна охоплює наступні компоненти:
Наноматеріали та нанотехнології. Сучасний стан. Технологія створення мікро- та наноструктур. Технологія виготовлення полікристалічного кремнію. Застосування в мікроелектромеханічних системах як плівкових елементів.
Прилади та пристрої мікро- та наносистемної техніки: створення, характеристики, параметри. Інтелектуальні мультисенсорні мікросистеми
Методи та критерії оцінювання: Залік, контрольна робота, усний захист письмової компоненти
Критерії оцінювання результатів навчання: Практичні заняття - 20
Письмова компонента -70
Усна компонента -10
Порядок та критерії виставляння балів та оцінок: 100–88 балів – («відмінно») виставляється за високий рівень знань (допускаються деякі неточності) навчального матеріалу компонента, що міститься в основних і додаткових рекомендованих літературних джерелах, вміння аналізувати явища, які вивчаються, у їхньому взаємозв’язку і роз витку, чітко, лаконічно, логічно, послідовно відповідати на поставлені запитання, вміння застосовувати теоретичні положення під час розв’язання практичних задач; 87–71 бал – («добре») виставляється за загалом правильне розуміння навчального матеріалу компонента, включаючи розрахунки , аргументовані відповіді на поставлені запитання, які, однак, містять певні (неістотні) недоліки, за вміння застосовувати теоретичні положення під час розв’язання практичних задач; 70 – 50 балів – («задовільно») виставляється за слабкі знання навчального матеріалу компонента, неточні або мало аргументовані відповіді, з порушенням послідовності викладення, за слабке застосування теоретичних положень під час розв’язання практичних задач; 49–26 балів – («не атестований» з можливістю повторного складання семестрового контролю) виставляється за незнання значної частини навчального матеріалу компонента, істотні помилки у відповідях на запитання, невміння застосувати теоретичні положення під час розв’язання практичних задач; 25–00 балів – («незадовільно» з обов’язковим повторним вивченням) виставляється за незнання значної частини навчального матеріалу компонента, істотні помилки у відповідях на запитання, невміння орієнтуватися під час розв’язання практичних задач, незнання основних фундаментальних положень.
Рекомендована література: Навчально-методичне забезпечення:
Ховерко Ю.М. МЕМС та НЕМС у пристроях мікро-та наносистемної техніки.– електронний навчально-методичний комплекс- реєстраційний номер № Е41-124-126/2022.– адреса розміщення: https://vns.lpnu.ua/course/view.php?id=7670
Ховерко Ю.М. Методичні вказівки до практичних робіт/індивідуальних робіт (адреса розміщення: https://vns.lpnu.ua/course/view.php?id=7670).
Рекомендована література.
P.I. Broday, J. Murray, Physical Foundations of Microtechnology, 1986.
U. Till, J. Lacson, Integral schemes: materials, devices, manufacturing, 1985.
Дружинін А.О., Когут І.Т., Ховерко Ю.М. Структури кремній-на-ізоляторі для сенсорної електроніки: Монографія. – Львів: Вид. НУ “Львівська політехніка”. – 2013. – 233 с.
Ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину кремній-германій в мікро- та наноелектроніці: [монографія] / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, С.І. Нічкало.– Львів: Видавництво «Тріада плюс», 2016. – 264 с.
Ховерко Ю.М., Дружинін А.О., Островський І.П. Технологія елементів зінтегрованих схем мікро та наносистемної техніки. Навч. посібник. - Львів: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2017. – 172 с (9,1 авт. арк.).
Наукова періодична література.
Уніфікований додаток: Національний університет «Львівська політехніка» забезпечує реалізацію права осіб з інвалідністю на здобуття вищої освіти. Інклюзивні освітні послуги надає Служба доступності до можливостей навчання «Без обмежень», метою діяльності якої є забезпечення постійного індивідуального супроводу навчального процесу студентів з інвалідністю та хронічними захворюваннями. Важливим інструментом імплементації інклюзивної освітньої політики в Університеті є Програма підвищення кваліфікації науково-педагогічних працівників та навчально-допоміжного персоналу у сфері соціальної інклюзії та інклюзивної освіти. Звертатися за адресою:
вул. Карпінського, 2/4, І-й н.к., кімн. 112
E-mail: nolimits@lpnu.ua
Websites: https://lpnu.ua/nolimits https://lpnu.ua/integration
Академічна доброчесність: Політика щодо академічної доброчесності учасників освітнього процесу формується на основі дотримання принципів академічної доброчесності з урахуванням норм «Положення про академічну доброчесність у Національному університеті «Львівська політехніка» (затверджене вченою радою університету від 20.06.2017 р., протокол № 35).