Основи мікро- та нанотехнологій

Спеціальність: Мікро- та наносистемна техніка
Код дисципліни: 6.153.01.E.076
Кількість кредитів: 6.00
Кафедра: Напівпровідникова електроніка
Лектор: к.т.н., асист. Лях-Кагуй Наталія Степанівна
Семестр: 5 семестр
Форма навчання: денна
Результати навчання: У результаті вивчення модуля студент повинен знати: • сучасні технологічні методики вирощування тонких і квантово-розмірних плівок, квантових ниток і квантових точок напівпровідників, діелектриків і металів; • історію їх розвитку, фізико-хімічні основи функціонування, сильні і слабкі сторони; • можливості застосування для масового виробництва структур і пристроїв сучасної мікро- і наноелектроніки. Підготовлений фахівець повинен вміти: • використовувати на практиці набуті знання з технології вирощування тонких і квантово-розмірних плівок, квантових ниток і квантових точок матеріалів різного функціонального призначення; • усвідомлено вибирати оптимальні технологічні методики для формування мікро- і наноструктур; • прогнозувати результати технологічних процесів їх вирощування.
Необхідні обов'язкові попередні та супутні навчальні дисципліни: пререквізит: • Фізика • Технологічні основи електроніки
Короткий зміст навчальної програми: Технологічні методи вирощування тонких плівок і квантово-розмірних шарів. Засади тонкоплівкових технологій. Вакуумне осадження тонких плівок. Процеси випаровування та конденсації в технології осадження тонких плівок з газової фази. Епітаксія тонких плівок з газової фази. Молекулярно-променева епітаксія. Газофазна епітаксія з металоорганічних сполук і гідридів. Рідиннофазна епітаксія. Технологічні методи формування квантових ниток. Технологічні методи формування квантових точок. Процеси самоорганізації і їх використання для формування ансамблів квантових точок. Зондові нанотехнології. Новітні розробки в області мікро- і нанотехнологій.
Методи та критерії оцінювання: • Поточний контроль: письмові звіти з лабораторних робіт, контрольна робота, індивідуальні завдання, тестування (40 %) • Підсумковий контроль - іспит: письмово-усна форма (60 %)
Рекомендована література: 1. Заячук Д.М. Нанотехнології і наноструктури: Навч.посіб. – Львiв: В-во НУ «Львівська політехніка», 2009. – 580 с. 2. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. – М.: Высшая школа, 1990. 3. Ченг Л., Плог К. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. – М.: Мир, 1989. - 600 с. 4. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. – М.: Металлургия, 1983, 224 с.