Прогресивні методи проєктування і виробництва наносистем
Спеціальність: Інформаційні технології проектування
Код дисципліни: 7.122.02.E.021
Кількість кредитів: 5.00
Кафедра: Системи автоматизованого проектування
Лектор: Професор каф. Кособуцький Петро Сидорович
Семестр: 2 семестр
Форма навчання: денна
Завдання: Завдання навчальної дисципліни В результаті вивчення дисципліни, фахівець повинен знати: Основнi методи статистичної обробки та моделювання результатів вимірювань; методи генерації базових та похідних псевдовипадкових послідовностей; способи тестування генераторів псевдовипадкових послідовностей в інтервалі (0,1) з рівномірним законом розподілу ймовірностей.Підготовлений фахівець повинен вміти:Підібрати комп’ютерну модель для статистичного аналізу досліджуваного процесу, мати уяву про можливість, ефективність та обмеження методів статистичного моделювання.
Результати навчання: В результаті вивчення дисципліни, фахівець повинен знати:
Основнi властивості матеріалів електронної техніки та їх модифікацію в умовах просторовго масштабування із метою створення наносистем ,методи статистичної обробки та моделювання результатів вимірювань; методи генерації базових та похідних псевдовипадкових послідовностей;
Підготовлений фахівець повинен вміти:
Підібрати комп’ютерну модель технологічної реалізації продукованого елементу на основі електронних властивовостей квантових матеріалів . Розуміти закономірності протікання технологічних процесів синтезу матеріалів електронної техніки в умовах просторовго масштабування фізичних ефектів
Необхідні обов'язкові попередні та супутні навчальні дисципліни: технологія та фізичні властивості матеріалів, чисельні методи, мікро- і наноелектромеханічні системи
Короткий зміст навчальної програми: Фізичні процеси в макро- мікро і наноструктурах та фізичні основи застосування квантової механіки для моделювання наносистем, фізичні принципи синтезу електронних матеріалів , фізика твердого тіла, моделювання ефектів просторового масштабування фізичних процесів в електронних матеріалах, базові дискретні математичні моделі квантових електронних і фотонних структур, фізичні основи технологічних процесів квантових структур, зондові системи аналізу процесів, організація контролю параметрів процесів
Опис: 1.Електронні властивості резистичних матеріалів
2.Електронні властивості напівпровідникових матеріалів
3. Елементи транзисторної техніки
4.Технологія синтезу електронних матеріалів та базове технологічне обладнення
6. Квантування електронного спектру
7. Фізичні принципи формування наноструктур
8. Безови наноелементи та їх практична реалізація
9. Базові принципи та організація продукування наноситсем
Методи та критерії оцінювання:
Поточний контроль (40%); письмові звіти практикуму статистичного проектування, усне опитування, контрольні роботи
Критерії оцінювання результатів навчання: Підсумковий контроль (60%, екзамен); письмовий, усне опитування
Порядок та критерії виставляння балів та оцінок: 100–88 балів – («відмінно») виставляється за високий рівень знань (допускаються деякі неточності) навчального матеріалу компонента, що міститься в основних і додаткових рекомендованих літературних джерелах, вміння аналізувати явища, які вивчаються, у їхньому взаємозв’язку і роз витку, чітко, лаконічно, логічно, послідовно відповідати на поставлені запитання, вміння застосовувати теоретичні положення під час розв’язання практичних задач; 87–71 бал – («добре») виставляється за загалом правильне розуміння навчального матеріалу компонента, включаючи розрахунки , аргументовані відповіді на поставлені запитання, які, однак, містять певні (неістотні) недоліки, за вміння застосовувати теоретичні положення під час розв’язання практичних задач; 70 – 50 балів – («задовільно») виставляється за слабкі знання навчального матеріалу компонента, неточні або мало аргументовані відповіді, з порушенням послідовності викладення, за слабке застосування теоретичних положень під час розв’язання практичних задач; 49–26 балів – («не атестований» з можливістю повторного складання семестрового контролю) виставляється за незнання значної частини навчального матеріалу компонента, істотні помилки у відповідях на запитання, невміння застосувати теоретичні положення під час розв’язання практичних задач; 25–00 балів – («незадовільно» з обов’язковим повторним вивченням) виставляється за незнання значної частини навчального матеріалу компонента, істотні помилки у відповідях на запитання, невміння орієнтуватися під час розв’язання практичних задач, незнання основних фундаментальних положень.
Рекомендована література: 1.Кособуцький П.С.,та інш..Статистичне моделювання.Львів: ЛП 2013 2.Кособуцький П.С.Статистичні та Монте-Карло алгоритми моделювання випадкових процесів у макро- і мікросистемах у MathCAD. Львів:ЛП. 2014. 3.Кособуцький П.С.Фізичні основи статистичної оптимізації мікро- і наносистемної техніки. Львів: ЛП. 2016
Уніфікований додаток: Національний університет «Львівська політехніка» забезпечує реалізацію права осіб з інвалідністю на здобуття вищої освіти. Інклюзивні освітні послуги надає Служба доступності до можливостей навчання «Без обмежень», метою діяльності якої є забезпечення постійного індивідуального супроводу навчального процесу студентів з інвалідністю та хронічними захворюваннями. Важливим інструментом імплементації інклюзивної освітньої політики в Університеті є Програма підвищення кваліфікації науково-педагогічних працівників та навчально-допоміжного персоналу у сфері соціальної інклюзії та інклюзивної освіти. Звертатися за адресою:
вул. Карпінського, 2/4, І-й н.к., кімн. 112
E-mail: nolimits@lpnu.ua
Websites: https://lpnu.ua/nolimits https://lpnu.ua/integration
Академічна доброчесність: Політика щодо академічної доброчесності учасників освітнього процесу формується на основі дотримання принципів академічної доброчесності з урахуванням норм «Положення про академічну доброчесність у Національному університеті «Львівська політехніка» (затверджене вченою радою університету від 20.06.2017 р., протокол № 35).