Закономірності процесу хімічного осадження тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів для фоточутливих елементів
Автор: Клапчук Олег Васильович
Кваліфікаційний рівень: магістр (ОНП)
Спеціальність: Хімічні технології та інженерія (освітньо-наукова програма)
Інститут: Інститут хімії та хімічних технологій
Форма навчання: денна
Навчальний рік: 2024-2025 н.р.
Мова захисту: українська
Анотація: У магістерській кваліфікаційній роботі досліджено закономірності процесу хімічного осадження тонких плівок сульфіду та селеніду кадмію, а також плівок твердого розчину кадмій сульфіду-селеніду для фоточутливих елементів. Для одержаних плівок досліджено їх структурні, оптичні та морфологічні властивості. На основі експериментальних даних запропоновано одержання тонких плівок CdSxSe1-x з можливістю регулювання ширини забороненої зони. Магістерська кваліфікаційна робота містить огляд процесу хімічного осадження з економічної точки зору. Загальний обсяг магістерської кваліфікаційної роботи складає 69 сторінок, у яких міститься 21 рисунок, 12 таблиць. Список використаної літератури включає 52 пункти.