Вибрані розділи фізики і технології напівпровідників та діелектриків
Спеціальність: Прикладна фізика та наноматеріали
Код дисципліни: 8.105.00.M.20
Кількість кредитів: 5.00
Кафедра: Прикладна фізика і наноматеріалознавство
Лектор: доктор фізико-математичних наук, професор Г.А. Ільчук
доктор технічних наук, професор С.І. Круковський
доктор технічних наук, професор А.С. Андрущак
доктор фізико-математичних наук, доцент О.П. Малик
Семестр: 3 семестр
Форма навчання: денна
Результати навчання: 1. Здатність продемонструвати поглиблені знання у вибраній області наукових досліджень.
2. Здатність продемонструвати розуміння впливу технічних рішень в суспільному, економічному і соціальному контексті.
3. Здійснювати пошук, аналізувати і критично оцінювати інформацію з різних джерел.
4. Застосовувати знання і розуміння для розв’язування задач синтезу та аналізу елементів та систем, характерних обраній області наукових досліджень.
5. Досліджувати і моделювати явища та процеси різної складності при вирішенні задач наноматеріалознавства.
6. Застосовувати системний підхід, інтегруючи знання з інших дисциплін та враховуючи нетехнічні аспекти, під час розв’язання теоретичних та прикладних задач обраної області наукових досліджень.
7. Поєднувати теорію і практику, а також приймати рішення та виробляти стратегію розв’язання науково-прикладних задач з урахуванням загальнолюдських цінностей, суспільних, державних та виробничих інтересів.
8. Ефективно працювати як індивідуально, так і у складі команди.
9. З використанням набутих дослідницьких навичок здатність самостійного успішного проведення експериментальних досліджень.
10. Оцінювати доцільність та можливість застосування нових методів і технологій в задачах синтезу наноматеріалів та розв’язанні задач прикладної фізики.
11. Здатність самостійно проводити наукові дослідження та приймати рішення.
Необхідні обов'язкові попередні та супутні навчальні дисципліни: Попередні навчальні дисципліни:
1. Технологія і фізика наноструктур електроніки і спінтроніки.
2. Новітні методи фізичних досліджень.
Супутні і наступні навчальні дисципліни
1. Моделювання фізичних процесів.
2. Фізика конденсованого стану і квантово-розмірних систем
Короткий зміст навчальної програми: За своєю логічною побудовою курс можна умовно розділити на чотири частини. В першій частині послідовно викладені фізико-хімічні основи формування квантово-розмірних структур напівпровідникових сполук методом МОС-гідридної епітаксії. Окремо висвітлено методика пошарового осадження напівпровідникових матеріалів, а також спосіб кристалізації напівпровідникових субмікронних шарів та нанорозмірних об’єктів методом рідин-но-фазної епітаксії. Представлено опис приладових структур, отриманих з використанням модуляції технологічних параметрів. В другій частині курсу представлено метод розрахунку рівноважного складу парової фази та ма-соперенесення в газофазних системах при вирощуванні сполук AIIBVI. Окремо висвітлено питання умов росту кристалів сполук AIIBVI за складом парової фази та швидкістю масоперенесення. Третя частина курсу присвячена вивченню індукованих (електро-, п'єзо- та акусто-) оптичних ефектів та їх просторової анізотропії в кристалічних матеріалах. Розглянуто експериментальні установки та відповідні методики дослідження цих ефектів. Висвітлено питання поширення та вимірювання швидкостей акустичних хвиль в анізотропних середовищах на основі розв’язку рівняння Крістоффеля. В четвертій частині курсу розглядаються кінетичні властивості кристалів AIIBVI та AIІIBV. Представлено метод точного розв’язку кінетичного рівняння Больцмана для напівпровідника з ізотропним законом дисперсії носіїв заряду. Висвітлено сучасні моделі розсіяння носіїв заряду на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів різної природи, а також проведено їх порівняння з існуючими далекодіючими моделями розсіяння в наближенні часу релаксації.
Методи та критерії оцінювання: Поточний контроль (40%): усне опитування, презентації на семінарах, контрольні роботи, індивідуальні письмові роботи. - Письмовий тест (60%): іспит.
Рекомендована література: 1. Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов: Учебник для вузов. 3-е изд., стер. — СПб.: Издательство «Лань», 2002.— 424 с.
2. Под ред. Л. Майсела, Р. Гленга. Нью-Йорк. 1970. Пер. с англ. Под ред. М.И. Елисона, Г.Г. Смолко, Технология тонких пленок Т.1. – М.: “Сов. радио”, 1977. – 664 с.
3. Под ред. Л. Майсела, Р. Гленга. Нью-Йорк. 1970. Пер. с англ. Под ред. М.И. Елисона, Г.Г. Смолко, Технология тонких пленок Т.2. – М.: “Сов. радио”, 1977. – 768 с.
4. Александров С. Е., Греков Ф. Ф. Технология полупроводниковых ма-териалов: Учебное пособие. 2'е изд., испр. — СПб.: Издательство «Лань», 2012. — 240 с.
5. Антоненко С.В. Технология тонких пленок: Учебное пособие. М.: МИФИ, 2008. – 104 с.
Вибрані розділи фізики і технології напівпровідників та діелектриків
Спеціальність: Прикладна фізика та наноматеріали
Код дисципліни: 8.105.00.M.19
Кількість кредитів: 5.00
Кафедра: Напівпровідникова електроніка
Семестр: 3 семестр
Форма навчання: денна
Вибрані розділи фізики і технології напівпровідників та діелектриків
Спеціальність: Прикладна фізика та наноматеріали
Код дисципліни: 8.105.00.M.18
Кількість кредитів: 5.00
Кафедра: Загальної фізики
Семестр: 3 семестр
Форма навчання: денна