Основи мікро- та нанотехнологій

Спеціальність: Телекомунікації та радіотехніка
Код дисципліни: 6.172.05.E.121
Кількість кредитів: 5.00
Кафедра: Електронні засоби інформаційно-комп'ютерних технологій
Лектор: Професор Дмитро Заячук
Семестр: 8 семестр
Форма навчання: денна
Мета вивчення дисципліни: Метою вивчення дисципліни є підготовка майбутніх фахівців до практичної роботи в галузі виробництва радіоелектронних апаратів на основі сучасних технологій виготовлення напівпровідникових мікро- і наноструктур, формування у студентів науково-практичних навичок у питаннях технології тонких і квантово-розмірних плівок, квантових ниток і квантових точок та модифікації їх фізичних властивостей.
Завдання: Вивчення навчальної дисципліни передбачає формування та розвиток у студентів компетенцій: Загальних: Креативність, здатність до системного мислення; Здатність розв’язувати поставлені задачі та приймати відповідні обґрунтовані рішення; Здатність адаптуватися та працювати в нових ситуаціях. Фахових: Базові знання в галузі сучасних напівпровідникових мікро- та нанотехнологій, необхідні для ефективної професійної діяльності; Здатність застосовувати професійно-профільовані знання у процесі розв’язання професійних задач; Знання та розуміння предметної області спеціальності; Здатність до саморозвитку, підвищення кваліфікації, навиків та майстерності.
Результати навчання: 1. Знання і розуміння наукових принци¬пів і законів, на яких базуються сучасні мікро- та нанотехнології виготовлення структур, приладів, пристроїв і систем телекомунікацій і радіотехніки. 2. Вміння використовувати на практиці набуті знання з технології формування двовимірних, одновимірних, нульвимірних напівпровідникових структур для задоволення потреб сучасної радіоелектроніки та інформаційних систем. 3. Вміння користуватися науковою літературою, яка присвячена проблемам навчальної дисципліни. 4. Вміння самостійно аналізувати результати новітніх розробок і досягнень в області технології виготовлення наноструктур. 5. Вміння самостійно робити висновки.
Необхідні обов'язкові попередні та супутні навчальні дисципліни: Попередні навчальні дисципліни Фізика, Вища математика Супутні і наступні навчальні дисципліни Конструкторське проектування радіоелектронних апаратів Основи матеріалознавства
Короткий зміст навчальної програми: Викладаються основи сучасних технологій вирощування приладних структур напівпровідникової мікро- і наноелектроніки: вакуумного осадження тонких плівок; епітаксії тонких плівок з газової фази; молекулярно-променевої епітаксії; газофазної епітаксії з металоорганічних сполук і гідридів; рідиннофазної епітаксії; технологічних методів формування масивів квантових ниток і квантових точок. Аналізуються новітні розробки і досягнення в області мікро- і нанотехнологій.
Опис: Вступ до курсу Процеси випаровування в технології вирощування тонких плівок і квантово-розмірних шарів з газової фази Процеси конденсації в технології вирощування тонких плівок і квантово-розмірних шарів з газової фази Зародки нової фази та їх роль у технології вирощування тонких плівок Епітаксія як основа технології одержання монокристалічних тонких плівок Реалізація принципів епітаксії в сучасних нанотехнологіях Епітаксія з рідкої фази Технологічні методи формування масивів квантових ниток і квантових точок
Методи та критерії оцінювання: Виступи на практичних заняттях, тестові контрольні роботи у ВНС, екзаменаційний контроль.
Критерії оцінювання результатів навчання: Рівень засвоєння навчального матеріалу. Рівень розуміння навчального матеріалу. Поточні результати на практичних заняттях.
Порядок та критерії виставляння балів та оцінок: 100–88 балів – («відмінно») виставляється за високий рівень знань (допускаються деякі неточності) навчального матеріалу компонента, що міститься в основних і додаткових рекомендованих літературних джерелах, вміння аналізувати явища, які вивчаються, у їхньому взаємозв’язку і роз витку, чітко, лаконічно, логічно, послідовно відповідати на поставлені запитання, вміння застосовувати теоретичні положення під час розв’язання практичних задач; 87–71 бал – («добре») виставляється за загалом правильне розуміння навчального матеріалу компонента, включаючи розрахунки , аргументовані відповіді на поставлені запитання, які, однак, містять певні (неістотні) недоліки, за вміння застосовувати теоретичні положення під час розв’язання практичних задач; 70 – 50 балів – («задовільно») виставляється за слабкі знання навчального матеріалу компонента, неточні або мало аргументовані відповіді, з порушенням послідовності викладення, за слабке застосування теоретичних положень під час розв’язання практичних задач; 49–26 балів – («не атестований» з можливістю повторного складання семестрового контролю) виставляється за незнання значної частини навчального матеріалу компонента, істотні помилки у відповідях на запитання, невміння застосувати теоретичні положення під час розв’язання практичних задач; 25–00 балів – («незадовільно» з обов’язковим повторним вивченням) виставляється за незнання значної частини навчального матеріалу компонента, істотні помилки у відповідях на запитання, невміння орієнтуватися під час розв’язання практичних задач, незнання основних фундаментальних положень.
Рекомендована література: 1. Заячук Д.М., Нанотехнології і наноструктури, Львів, 2009. 2. Технология тонких пленок. Под ред. Л. Майссела и Р. Глэнга. Т. 1 и 2., М.: Советское радио, 1977. 3. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Под ред. Л. Ченга и К. Плога, М.: Мир, 1989. 4. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. М.: Металлургия, 1983.
Уніфікований додаток: Національний університет «Львівська політехніка» забезпечує реалізацію права осіб з інвалідністю на здобуття вищої освіти. Інклюзивні освітні послуги надає Служба доступності до можливостей навчання «Без обмежень», метою діяльності якої є забезпечення постійного індивідуального супроводу навчального процесу студентів з інвалідністю та хронічними захворюваннями. Важливим інструментом імплементації інклюзивної освітньої політики в Університеті є Програма підвищення кваліфікації науково-педагогічних працівників та навчально-допоміжного персоналу у сфері соціальної інклюзії та інклюзивної освіти. Звертатися за адресою: вул. Карпінського, 2/4, І-й н.к., кімн. 112 E-mail: nolimits@lpnu.ua Websites: https://lpnu.ua/nolimits https://lpnu.ua/integration
Академічна доброчесність: Політика щодо академічної доброчесності учасників освітнього процесу формується на основі дотримання принципів академічної доброчесності з урахуванням норм «Положення про академічну доброчесність у Національному університеті «Львівська політехніка» (затверджене вченою радою університету від 20.06.2017 р., протокол № 35).